第25回（2009年）受賞者 / 先端技術部門 / エレクトロニクス

1929年

鹿児島県知覧町生まれ

1952年

京都大学　理学部　卒業

1964年

名古屋大学 工学博士

1952-1959年

神戸工業株式会社（現 富士通株式会社）

1959-1964年

名古屋大学　工学部　助手、講師、助教授

1964-1981年

松下電器産業株式会社　東京研究所 基礎第4研究室長、同半導体部長

1981-1992年

名古屋大学　工学部　教授

1992年-現在

名古屋大学　名誉教授

1992年-現在

名城大学　理工学部/理工学研究科　教授

2004年-現在

名古屋大学　特別教授

1995年

ハインリッヒ・ヴェルカー・ゴールドメダル

1997年

紫綬褒章

1998年

IOCGローディス賞、C&C賞、IEEEジャック・モートン賞、英国ランク賞

1999年

モンペリエ大学名誉博士

2001年

朝日賞
リンショッピン大学名誉博士

2002年

勲三等旭日中綬章、応用物理学会業績賞（研究業績）、藤原賞

2004年

文化功労者

会員：

IEEE フェロー、電子情報通信学会名誉員、応用物理学会功労会員、米国工学アカデミー外国人会員

1986年

Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer (Amano, H., Sawaki, N., Akasaki, I. and Toyoda, Y.). Applied Physics Letters 48: 353-355.

1989年

Effects of AlN Buffer Layer on Crystallographic Structure and on Electrical and Optical Properties of GaN and Ga1-xAlxN (0<x≤0.4) Films Grown on Sapphire Substrate by MOVPE (Akasaki, I., Amano, H., Koide, Y., Hiramatsu, K. and Sawaki, N.). Journal of Crystal Growth 98: 209-219.

1989年

P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI) (Amano, H., Kito, M., Hiramatsu, K. and Akasaki, I.). Japanese Journal of Applied Physics 28: L2112-L2114.

1997年

Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters (Akasaki, I. and Amano, H.). Japanese Journal of Applied Physics 36: 5393-5408.

2006年

Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode (Akasaki, I. and Amano, H.). Japanese Journal of Applied Physics 45: 9001-9010.