
本研究は、InGaN系赤色マイクロLEDにおける低発光効率という本質的課題に対し、ハニカム格子InGaNナノコラムと銀ナノ構造を融合したプラズモニックLEDという独創的手法で挑むものである。原子層堆積法による側面酸化膜形成を通じて表面欠陥の抑制と表面プラズモンポラリトン結合の高速化を両立し、従来困難であったInGaN系赤色LEDの高効率化に新たな原理を提示する点に大きな特色がある。今後は、電流注入可能な実デバイスとして完成度を高め、10倍以上の赤色発光増強技術を目指すとともに、RGB-LEDの一体集積や新規光電子デバイスへの展開を通じて、次世代ディスプレイ技術を支える学術的・社会的インパクトの大きい基盤技術へ発展させたい。
理工系(はぐくむ)領域