- 採択テーマ
- 高温エレクトロニクスの開拓を目指した炭化ケイ素pチャネルMOSトランジスタの物理モデル構築
- キーワード
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- 研究概要
- 現在主流のシリコン半導体を用いるCMOS集積回路は、材料物性に起因して本質的に300℃以上の高温環境で動作できず、燃焼炉制御・地下資源掘削・金星探査には使用できません。本研究では高温動作の観点で有望な炭化ケイ素(SiC)半導体を用いるCMOS集積回路の実用化を目指し、これを構成するpチャネルMOSトランジスタの物理モデルを構築します。これにより、現代社会に必要不可欠なエレクトロニクスを超高温域へと拡大し、学術と産業双方の発展に貢献します。
助成を受けて
集積回路は身の回りのあらゆる電気・電子機器に搭載されており、集積回路なくして現代社会は成り立たないと言っても過言ではありません。しかし、その動作温度には限界があり、300℃を超える環境で動作できる集積回路はこれまで実用化されていません。高温動作集積回路が実用されれば、私たちの生活はより一層豊かになると期待しています。SiCを用いるCMOSの実用化を目指して、一歩ずつ着実に研究を進め、次世代のエレクトロニクス創生に貢献します。
