名古屋大学大学院工学研究科助教※助成決定当時
2025稲盛研究助成理工系
次世代半導体デバイスの性能向上に向け、低次元材料とゲート絶縁膜の界面制御技術を探求する本研究が採択され、大変光栄に思います。従来技術では解決が困難であった界面の課題に対し、新たなアプローチで挑戦し、半導体技術のさらなる発展に貢献できるよう努めます。
低次元材料と絶縁膜の界面制御に向けて、アンダーポテンシャル析出を利用した低次元材料上への金属原子層形成を目指した。YCl₃を含む有機電解液中でHOPG基板に電位掃引を行い、サイクリックボルタンメトリー、ラマン分光、エネルギー分散型X線分析により表面反応を評価した。その結果、HOPG表面にYを含む析出物が形成される可能性を示すとともに、析出形態の不均一性、Cl混入、欠陥導入の可能性を今後の課題として明確化した。
理工系領域
