- 採択テーマ
- ナノボイド形成によるシリコン基板上への窒化物半導体の高品質結晶成長
- キーワード
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- 研究概要
- 2014年ノーベル物理学賞で話題になったIII族窒化物半導体は，さまざまな光電子デバイスへの応用が期待されています．高性能デバイスには高品質結晶が不可欠ですが，窒化物半導体はそのために必須な基板の作製技術が未熟です．したがって現在は異種基板が利用されていますが，高品質結晶を得るのは困難です．
我々は高品質・安価・大面積で各種技術の確立したシリコン基板に着目しています．窒化物半導体成長にはバッファ層の挿入が不可欠ですが，我々は基板加熱と炭素原料ガス供給のみで簡便に形成される炭化ケイ素薄膜の利用を提案しています．その際，界面に自己的に形成されるボイド（空隙）を積極的に利用して，高品質窒化物半導体結晶の成長技術を確立したいと考えています．
助成を受けて
このたび稲盛財団研究助成にご採択いただき，まことにありがとうございました．これを契機に，本研究の発展を加速させていきたいと考えています．また，色々な方との共同研究もしていきたいと思っています．
